摘要:一种基于硒掺杂的硫代锂离子超导体,其是一种分子式为Li10Ge1‑xMxP2S12‑2xSe2x(M=Sn,Si)或Li10Ge1‑xMxP2S12‑2xSe1.5x(M=Al)的物质,式中:0<x≤1。上述基于硒掺杂的硫代锂离子超导体的制备方法主要是将含S和含Se的相关原料在行星球磨机中短时间球磨,再进行烧结,以0.5℃/分钟速率缓慢升温至500‑600℃,保温48小时,然后以1℃/分钟速率缓慢冷却形成固体晶态电解质材料即基于硒掺杂的硫代锂离子超导体。本发明制备工艺简单,制得的超导体材料不仅提高了离子电导率,降低了激活能,还拓宽了材料的电化学窗口。 |