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利用含羞草制备超级电容器电极材料的方法

专利号:ZL201610023346.2

专利类型:发明授权

发明人:高发明; 尹航; 周军双; 张俊川; 王栋

公开(公告)日:2017-11-24

转化方式:转让、许可、作价入股

联系人:周老师

联系电话:0335-8518633

发明人 高发明; 尹航; 周军双; 张俊川; 王栋 公开(公告)日 2017-11-24
专利类型 发明授权 转化方式 转让、许可、作价入股
联系人 周老师 联系电话 0335-8518633
一种利用含羞草制备超级电容器电极材料的方法,其主要是将含羞草进行真空冷冻干燥处理,在管式电阻炉中先低温200~400℃碳化后再高温600~800℃碳化,之后将生物碳与分析纯的氢氧化钾按质量比1 : 0.5~4混匀,在箱式气氛炉中600~900℃恒温碳化0.5~3小时进行化学活化,对活化产物进行酸处理,最后离心洗涤至中性,干燥制得超级电容器电极材料。本发明合成步骤简单,反应条件相对温和,重复性好,产率高,易用于大规模产业化;制备的超级电容器电极材料比表面积高达1307m2g‑1,在6M KOH溶液中,1A g‑1电流密度下,测得电容高达250F g‑1,且循环稳定性好,是一种相对理想的超级电容器电极材料。

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