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高长径比Si纳米线的制备方法

专利号：ZL202011164575.9

专利类型：发明授权

发明人：沈同德; 杨婷婷; 孙宝茹

公开（公告）日：2022-7-29

转化方式：转让、许可、作价入股

联系人：周老师

联系电话：0335-8518633

发明人 沈同德; 杨婷婷; 孙宝茹 公开（公告）日 2022-7-29
专利类型 发明授权 转化方式 转让、许可、作价入股
联系人 周老师 联系电话 0335-8518633
本发明提供一种高长径比Si纳米线的制备方法，Si纳米线的长度大于0.5cm，不含其他杂质，长径比大于106，该方法包括原料纯Si粉放置工序，压力控制工序，升温工序，Si纳米线生长工序，降温工序，其中Si纳米线生长工序将真空管式炉从室温升温至1200～1300℃维持1.5～4.5小时，降温工序以低于5℃/min的降温速度从高温缓慢降温至1000℃，由此获得生长于石墨片上的Si纳米线。

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