本发明涉及一种(TiNbCrWTa)Cx高熵陶瓷及其制备方法，属于高熵碳化物陶瓷技术领域，所述高熵陶瓷为单相面心立方结构的陶瓷；所述制备方法包括：S1：将一种金属和四种碳化物原料粉末混合均匀，得到混合粉末A；S2：将混合粉末A放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，得到高熵陶瓷(TiNbCrWTa)Cx。本发明选用Ti粉和Cr3C2粉相结合，既降低了烧结过程的烧结温度，又保证了高熵碳化物的碳源来源，还有利于各元素的扩散，使最终产物有着较高的致密度和均匀性，最终形成具有单相的固溶体，制备的高熵陶瓷具有优异的机械、物理和化学性能。
