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一种激光原位合成洋葱碳的制备方法

专利号:ZL202210757772.4

专利类型:发明授权

发明人:战再吉; 武龙鹏; 曹海要

公开(公告)日:2024-2-23

转化方式:转让、许可、作价入股

联系人:周老师

联系电话:0335-8518633

发明人 战再吉; 武龙鹏; 曹海要 公开(公告)日 2024-2-23
专利类型 发明授权 转化方式 转让、许可、作价入股
联系人 周老师 联系电话 0335-8518633
本发明涉及一种激光原位合成洋葱碳的制备方法,属于激光加工与材料合成技术领域,步骤包括:(1)原料粉末的配制:原料粉末由金属Ni粉和碳化物SiC粉末组成;(2)金属基板的预处理:选用纯铜基板,进行表面处理,用试样袋封装,避免表面氧化;(3)激光原位合成洋葱碳的制备:将步骤(1)所得的原料粉末预置在步骤(2)所得的金属基板表面,并在氩气保护气氛中进行激光加工,在金属基板表面进行原位合成反应生成洋葱碳。本发明利用激光加工技术和原位合成反应,在镍金属中合成了纳米/微米级洋葱碳,制备的洋葱碳在金属基体中均匀分散,结构完整,其直径从400纳米到2微米。

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