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法拉第异质结阵列电极及其制备方法和光可充电电池

专利号:ZL202210697619.7

专利类型:发明授权

发明人:谷建民; 高静; 袁一鸣; 李蕾; 赵小宇; 王德松

公开(公告)日:2024-7-16

转化方式:转让、许可、作价入股

联系人:周老师

联系电话:0335-8518633

发明人 谷建民; 高静; 袁一鸣; 李蕾; 赵小宇; 王德松 公开(公告)日 2024-7-16
专利类型 发明授权 转化方式 转让、许可、作价入股
联系人 周老师 联系电话 0335-8518633
本发明涉及一种法拉第异质结阵列电极及其制备方法和光可充电电池,该法拉第异质结阵列电极的制备方法,所述方法利用强相互作用的静电自组装和晶格匹配策略,以导电基底为基,将光活性材料生长于所述导电基底形成光活性材料纳米棒阵列电极,将法拉第材料生长于所述光活性材料纳米棒阵列电极上,制得法拉第异质结阵列电极。该制备方法简单易行,且制得的法拉第异质结阵列电极具有紧密集成界面,由此能够实现高效的界面电荷传输,在对其进行光电化学测试时,展示出超快的电荷传输速率和较高的比电容;与此同时,以其为电极组装形成的光可充电电池,实现了全太阳能驱动的能量转换和存储,还具有极好的充放电稳定性。

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