本发明公开了场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型，包括：GS等效电路单元、GD等效电路单元、DS等效电路单元，以及沟道区热电阻单元、场板结构单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg；GD等效电路单元和沟道区热电阻单元串联再与GS等效电路单元并联；GS等效电路单元、GD等效电路单元和沟道区热电阻单元与DS等效电路单元并联；场板结构单元与其他各结构并联。本发明能精确反映场板结构氧化镓功率MOSFET器件的物理本质，准确的模拟器件物理特性，具有设计直观、参数提取过程简单的优点，同时将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件中。
