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一种铁基氢氧化物赝电容薄膜材料的原位制备方法

专利号:ZL201711030474.0

专利类型:发明授权

发明人:樊玉欠; 王璐萌; 戴维; 李子轩; 张文波; 曾磊

公开(公告)日:2020-1-7

转化方式:转让、许可、作价入股

联系人:周老师

联系电话:0335-8518633

发明人 樊玉欠; 王璐萌; 戴维; 李子轩; 张文波; 曾磊 公开(公告)日 2020-1-7
专利类型 发明授权 转化方式 转让、许可、作价入股
联系人 周老师 联系电话 0335-8518633
一种铁基氢氧化物赝电容薄膜材料的原位制备方法,其主要步骤包括:(1)将金属铁基体清洗除尘、除油以获得清洁的铁表面;(2)配置原位制备所用的电解质溶液,溶剂为去离子水,溶质的成分为金属碱,添加剂为碱金属氯化物;(3)将清洗干净的铁基体作为工作电极浸入电解质溶液,并将石墨电极作为对电极一并加入到电解质溶液,通过常规的电化学氧化‑还原技术即恒电流阶跃或脉冲电压阶跃对铁基体表面进行持续活化对铁电极进行循环活化,即可在铁基体表面获得一层具有高赝电容活性的铁基氢氧化物薄膜材料。本发明原材料廉价,工艺简单,易于操作,生产成本低,所制备薄膜产品的电化学赝电容储能活性高,适合工业化大生产。

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