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一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法

专利号:ZL202011193479.7

专利类型:发明授权

发明人:战再吉; 周天宇; 曹海要

公开(公告)日:2023-4-21

转化方式:转让、许可、作价入股

联系人:周老师

联系电话:0335-8518633

发明人 战再吉; 周天宇; 曹海要 公开(公告)日 2023-4-21
专利类型 发明授权 转化方式 转让、许可、作价入股
联系人 周老师 联系电话 0335-8518633
本发明公开了一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法,包括如下步骤:S1、基体预处理将纯铜基体工作表面,用砂纸打磨、除油、除锈、清洗,然后黑化处理;S2、配制熔覆粉末配制含Mo粉、SiC粉、Ni粉和Cu粉的熔覆粉末,其中,Mo和SiC的含量占10‑30wt.%,Ni粉占30‑40wt.%,余量为Cu粉;并且Mo占85.67wt.%、SiC占14.33 wt.%;S3、混粉并干燥将步骤S2配制的熔覆粉末利用V型混料机混粉,然后将混合粉末干燥;S4、激光熔覆在保护气氛围下,进行激光熔覆,生成多相陶瓷。本发明所制备的陶瓷相增强铜基熔覆层组织致密,无气孔和裂纹,有很好的应用前景。

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