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一种掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法

专利号:ZL202211108014.6

专利类型:发明授权

发明人:王明智; 翟新宣; 卢奎虎; 赵玉成; 邹芹; 刘树通; 宁泱锦

公开(公告)日:2023-4-21

转化方式:转让、许可、作价入股

联系人:周老师

联系电话:0335-8518633

发明人 王明智; 翟新宣; 卢奎虎; 赵玉成; 邹芹; 刘树通; 宁泱锦 公开(公告)日 2023-4-21
专利类型 发明授权 转化方式 转让、许可、作价入股
联系人 周老师 联系电话 0335-8518633
本发明提供了一种掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法,属于新材料及高熵陶瓷制备技术领域。本发明通过机械合金化及烧结过程将TiO2与过渡族金属及其共价键化合物(包括碳化物、氮化物或碳氮化物)作为共同组元,使烧结后获得的过渡族金属共价键碳化物、氮化物高熵陶瓷块体材料(高熵陶瓷)的晶体结构中阴离子点位含有氧离子,获得的掺杂氧离子的非化学计量比高熵陶瓷具有面心立方的单相、单一晶体结构。这种在阴离子点位分布大量氧离子的耐辐射、耐腐蚀、高硬度强度的高熵陶瓷新材料,在催化、储能及特殊功能材料器件等方面有极大的应用空间。

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