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一种中空多孔结构氧化铜及其制备方法和应用

专利号:ZL202111301697.2

专利类型:发明授权

发明人:高发明; 赵奕淞; 位阔; 左雪; 米玉平

公开(公告)日:2023-6-27

转化方式:转让、许可、作价入股

联系人:周老师

联系电话:0335-8518633

发明人 高发明; 赵奕淞; 位阔; 左雪; 米玉平 公开(公告)日 2023-6-27
专利类型 发明授权 转化方式 转让、许可、作价入股
联系人 周老师 联系电话 0335-8518633
本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及一种中空多孔结构氧化铜及其制备方法和应用。本发明提供了一种中空多孔结构氧化铜,为空心八面体结构,尺寸为200~400nm,比表面积为23.5~79.6m2/g,八面体的表面由尺寸为14~33nm氧化铜纳米颗粒构成,氧化铜纳米颗粒之间具有孔隙结构,具有优异的导电性、高度亲水性和优异的催化性能,在电化学检测对农药进行检测时,可以显著降低检测电位,大大提高检测灵敏度和抗干扰性。本发明通过强还原剂化学刻蚀Cu‑MOF前体、离心干燥后进一步高温煅烧的方式获得八面体结构中空多孔结构氧化铜,制备方法简单易控,重复性高,容易实现大规模生产。

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