本发明涉及一种锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型，其包括本征低温NPN晶体管单元、寄生衬底PNP晶体管单元、衬底匹配网络单元、基区‑发射区寄生等效电路单元、基区‑集电区寄生等效电路单元、集电区等效电阻、发射区等效电阻和寄生基区等效电阻，集电区等效电阻两端设有集电极端和第一集电区端，发射区等效电阻RE两端设有发射极端和第一发射区端，寄生基区等效电阻两端设有第一基区端和基极端。本发明借助NPN晶体管和PNP晶体管提出的等效电路模型，能精确反映低温环境下锗硅异质结双极晶体管器件物理本质，准确模拟器件低温特性，适用于极端条件下模拟高频集成电路的仿真设计。
