本申请属于半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种双极结型晶体管及其制备方法。现有双极结型晶体管增益小特征频率小，并要求小尺寸化。本申请提供了一种双极结型晶体管，在第一方向上，包括依次设置的n型Si衬底、p+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体n型基区、SiC应变外延层和P型集电区，第一方向为由衬底指向P型集电区的方向；鳍型半导体n型基区上设置有P型集电区；SiO2层上设置有发射极接触，SiC应变外延层上设置有基极接触，P型集电区上设置有集电极接触；SiC应变外延层对鳍型半导体n型基区和P型集电区同时施加单轴压应力，空穴迁移率增加，减小基区与集电区渡越时间，增加器件的特征频率。
