现有双极结型晶体管增益小特征频率小，并要求小尺寸化。本申请提供了一种三维应变Si双极结型晶体管，在第一方向上，包括依次设置的p型Si衬底、n+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体p型基区、SiGe应变外延层和n型集电区，第一方向为由衬底指向n型集电区的方向；鳍型半导体p型基区上设置有n型集电区；SiO2层上设置有发射极接触，SiGe应变外延层上设置有基极接触，P型集电区上设置有集电极接触；SiGe应变外延层对鳍型半导体p型基区和n型集电区同时施加单轴拉应力。电子迁移率增加，减小基区与集电区渡越时间，增加器件的特征频率。
